简介：

所谓混合键合（hybrid bonding），指的是将两片以上不相同的Wafer或Die通过金属互连的混合键合工艺，

来实现三维集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点

（Micro bump）来实现芯片与基板，芯片与中介层(Interposer),芯片与芯片间的电连接。Solder bump/

micro bump在制备工艺中都有植球的步骤，所植的球就是焊锡球（Solder bump），所以在Hybrid Bonding

之前芯片间的连接都是靠焊锡球进行连接。

当然Solder bump是植在铜柱（Copper bump）上的。当copper bump pitch小于10~20um时，焊锡球

solder bump就变成了工艺难点及缺陷的主要来源。这时候就需要一种新的工艺来解决bump间距小于10微米

芯片间键合的问题。

混合键合两种常见的类型：

1.Wafer to Wafer (W2W)晶圆对晶圆：适合高良率的芯片，如CMOS、3D NAND。2.Die to Wafer (D2W) 

芯片对晶圆：适合不同种类型芯片集成，如异构集成。

W2W可以提供更高的对准精度、吞吐量和键合良率。但一个主要限制是无法选择已知的合格芯片（KGD）。

这会导致将有缺陷的芯片粘合到好的芯片上，从而导致优质芯片的浪费。W2W 的另一个缺点是两片晶圆上芯

片的尺寸必须一致，因此这限制了异构集成选项的灵活性。所以，W2W适用于良率高的晶圆，通常是设计尺

寸较小芯片，如CMOS 图像传感器、3D NAND。

D2W允许将不同尺寸、工艺节点的芯片（如逻辑芯片与存储芯片）选择性集成到同一晶圆上，从而支持异构

集成和定制化设计，避免了W2W因整片晶圆键合导致的良率损失问题（例如一片晶圆存在缺陷时，仅影响单

个芯片而非整片）。此外，D2W可通过分步测试筛选合格芯片（KGD）再进行键合，降低了整体成本。

这种特性使其在先进封装（如3D堆叠）中更具适应性，尤其适用于需要整合多来源芯片的高性能计算场景。

然而，D2W混合键合的技术实现难度更高，主要体现在亚微米级对准精度和界面共面性控制两大挑战。

工艺流程：

混合键合结合了两种不同的键合技术：介电键合和金属互连。一般采用介电材料（通常是SiO₂）与嵌入式铜

(Cu)焊盘结合，通过形成电介质键(dielectric bond)和金属键(metal bond)实现两个晶圆(wafers)或裸片(dies)

之间建立永久电连接，而无需焊料凸块。这种无凸块方法通过减少信号损耗和改善热管理来提高电气性能 。

一．表面准备：晶圆需经过化学机械抛光/平坦化（CMP）和表面活化及清洗处理。混合键合层的表面光滑度

非常关键。Hybrid Bonding界面处对任何类型的凹凸都可能会产生空洞和无效的键合，通常需要确保表面粗

糙度（Ra）低于0.5nm。，铜焊盘为1nm。为了达到这种平滑度，需要进行化学机械平坦化（CMP）。

CMP完成后，还需要进行表面活化（Activation）等离子体处理：对SiO₂表面进行Ar、N₂或O₂等离子体处理，

增加表面羟基（-OH）密度，增强亲水性。铜表面可能需还原性等离子体（如H₂）去除氧化层。

二．对位：晶圆或芯片的对准需要在洁净室（Class 1-10）中进行，避免颗粒污染。经过精确对准，以确保金

属焊盘正确对应，从而实现有效的电气互连。

需要注意的是：由于键合过程涉及两个非常光滑且平坦的表面齐平地键合在一起，因此键合界面对任何颗粒的

存在都非常敏感；高度仅为1 微米的颗粒会导致直径为10 毫米的粘合空隙，从而导致键合缺陷。

三．预键合：经过对位之后晶圆或芯片间仅形成初始电介质键，此时只是通过范德华力结合在一起，还需要在

室温或略高的温度、在N₂或真空环境下,配合一定的压力，通过原子扩散和机械互锁形成牢固的键合。

南京屹立芯创拥有多项创新发明专利技术，设备可以通过在真空和升温环境中对晶圆与芯片施加稳定、均匀的

压力，让芯片与晶圆之间更平坦化，实现晶圆或芯片间稳定键合。

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体封装，电子组装，5G通讯，新能源应用，车用零件，航天模块，生化检测等各大科技领域。

四．键合后处理：初始键合后，还需要通过额外的热处理来进一步促进铜向介电层扩散，确保稳固的互连，以

此来增强键合强度和电气性能。

混合键合应用：

混合键合用于芯片的垂直（或3D）堆叠。混合键合的显著特点是无凹凸。它从基于焊接的凸块技术转向直接的

铜对铜连接。这意味着顶模和底模彼此齐平。两个芯片都没有凸块，只有可以缩放到超细间距的铜焊盘。没有

焊料，因此避免了与焊料相关的问题。同时混合键合在电学性能方面也有独特的优势，Hybrid Bonding信号

丢失率几乎可以忽略不计，这在高吞吐量，高性能计算领域优势明显。

目前常见的应用场景：

1.3D芯片堆叠：混合键合被广泛应用于处理器和内存堆栈中，例如AMD的3D V-Cache技术和HBM高带宽内

存的多层堆叠。通过混合键合，可以将CPU与额外缓存芯片紧密连接在一起，显著提升系统性能；同时，在图

形处理单元（GPU）和高性能计算领域，将内存芯片直接堆叠到逻辑芯片上，极大地提高了数据带宽和访问效

率。

2.异构集成：混合键合技术也促进了异构系统的集成，使得各种不同工艺节点制造的芯片可以有效地结合在一

起，形成一个单一的高性能封装体。例如，将射频芯片、传感器、处理器等多种类型的芯片整合在同一封装内，

优化了物联网设备、智能手机和其他智能硬件的空间利用和整体性能。

3.图像传感器：混合键合在CMOS图像传感器(CIS)领域也有重要应用，如背照式（BSI）传感器和堆叠式传感器

等，其中底层的像素阵列通过混合键合技术与顶层的电路层相连，降低了光路损失并实现了更小型化的相机模

组设计。

总结：

混合键合作为先进封装技术的核心组成部分，正逐渐成为推动半导体行业向三维集成发展的重要驱动力。从市

场规模来看，当前火爆的AI算力需求，推动混合键合技术市场正以显著增速扩张，其在高密度集成、低功耗传

输上的优势使其成为3D封装的关键技术。

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