半导体产业中，高端处理器芯片一般具有较大的功耗，对散热要求较高。相较于传统硅脂导热膏材料，金属材料才是目前业界散热性能最好的材料。在高端处理器芯片的封装制程中，相较于其它金属材料，铟金属（铟单质、铟合金）导热能力及物理特性使其散热表现远好于其它金属材料。铟的热传导率能到达86W/cm·℃，而且铟是一种银白色软金属，可塑性强，有延展性，可压成片，如果接触面两侧有一定的压力，能够很好的把铟夹在中间，那么散热效能更好。铟片特有的散热方式，使其经常应用在芯片的封装结构中。但由于金属铟的熔点较低（156.61℃），而在封装过程中的锡金属回流温度可能会达到260度左右，在这个温度下，铟金属会发生沸腾，容易流动飞溅并外溢到电容等元器件，导致其电性能失效。另外，由于铟金属的外溢造成覆盖率不足，容易导致散热效果降低等问题。

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考虑到铟片在半导体封装工艺制程中的优势，南京屹立芯创提供能够解决其工艺问题的方案，同时该制程方案可量产使用。

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基本上，铟金属目前在半导体封装中有两种不同应用。第一种是铟Soldering的Die Bond工艺，该较之锡膏的特殊Soldering，同样也含有Flux，设备Soldering Printing、贴片后，使用屹立芯创除泡烤箱，在较低温的固化制程下，其空洞率与散热效果均比传统无铅锡膏更有优势。此外，屹立芯创还提供铟散热片工艺，主要针对FC产品，芯片正常FC Bonding后，经过CUF、除泡烤箱、Reflow、助焊剂清洗，再在芯片背面进行铟片Bonding，再经过2nd除泡烤箱（低温制程），制程稳定可实现量产，无需考虑铟片的低熔点与高温回流焊炉温度的不匹配性所带来的各种失效问题。

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屹立芯创真空压力除泡系统打破传统技术瓶颈，采用多项创新发明专利技术，利用真空+压力交互切换的的模式使烧结材料致密、均匀。特殊的温控方式，能够实现腔室的快速升温降温，大幅度提高UPH；炉体具有压力容器认证合格证明，并设置超压超温保护装置，使用安全；设备亦具有多项选配项目，如含氧量控制，除挥发物装置，电子增压系统，及自动开关炉门等等，可定制化设计，高质量、高信赖度。