NCF（Non-Conductive Film，非导电薄膜）贴压膜是先进封装中的关键工艺，主要用于芯片堆叠（如3D

 IC、HBM）、Chiplet互联和倒装芯片（Flip Chip）封装。其核心作用是在无导电胶的情况下实现芯片与

基板或中介层的牢固粘接，同时提供绝缘保护和应力缓冲。  

一、 NCF贴压膜的核心作用

- 绝缘保护：防止芯片互连（如铜凸点）短路  

- 应力缓冲：吸收热膨胀系数（CTE）不匹配导致的机械应力  

- 高密度互联：支持微凸点（≤10μm）的精准对位和填充  

- 工艺简化：替代传统的底部填充（Underfill）工艺，提高生产效率  

二、NCF贴压膜工艺流程

1、NCF薄膜制备

NCF通常由环氧树脂+无机填料组成，具有以下特性：

- 低温固化（130~180℃）  

- 低热膨胀系数（CTE）（≤30ppm/℃）  

- 高流动性（确保微凸点间隙填充）  

2、贴膜工艺

（1）晶圆/芯片预贴NCF  

   - 采用真空贴膜机（如立芯创WVLA系列）将NCF精准贴合在晶圆或芯片表面  

   - 关键参数：温度（80~120℃）、压力（0.5~5kgf/cm²）、真空度（<1mbar）  

（2）精准对位（Alignment）  

   - 光学对位系统（AOI）确保芯片与基板的微凸点（Cu Pillar/Solder Bump）精确对准  

（3）热压键合（Thermo-Compression Bonding）  

   - 在真空环境下加热加压（150~200℃, 10~50MPa），使NCF流动并填充凸点间隙  

   - 固化后形成高强度粘接层  

（4）后固化（Post-Cure）  

   - 进一步固化（150℃, 30~60min），确保NCF完全交联  

三、NCF贴压膜 vs. 传统Underfill工艺

四、NCF贴压膜的关键挑战

1. 气泡控制  

   - 微气泡（>10μm）会导致界面分层，需采用真空热压工艺（如屹立芯创WVLA晶圆级真空贴压膜系统）  

2. 翘曲（Warpage）  

   - 多层堆叠时，NCF固化收缩可能导致晶圆变形（需优化CTE匹配）  

3. 低温固化兼容性  

   - 部分先进封装（如HBM）要求固化温度≤150℃，需特殊NCF配方  

4. 高精度对位  

   - 5μm以下凸点间距需要亚微米级对准精度  

5. NCF贴压膜的未来趋势

- 更薄的NCF（≤5μm）用于2.5D/3D封装  

- 光敏NCF（Photo-imageable NCF），支持光刻图形化  

- AI工艺优化（屹立芯创WVLA晶圆级真空贴压膜系统，自动调节温度/压力曲线）  

总结

NCF贴压膜是先进封装的关键工艺，尤其适用于HBM、Chiplet、3D IC等高端应用。相比传统Underfill，

它具备高精度、高效率、低缺陷率等优势，但也面临气泡控制、翘曲管理等挑战。未来，随着更薄NCF材

料和智能化设备的发展，该技术将在半导体封装中扮演更重要的角色。