半导体传统封装与先进封装的对比与发展
发布时间:2025/07/30 10:53

半导体传统封装与先进封装的分类及特点

一、传统封装技术(成熟工艺,结构相对简单)

1双列直插封装(DIPDual In-line Package

◦ 特点:引脚从封装两侧直插而出,便于手工焊接和维修,成本低;但引脚间距大(如 2.54mm),集成度低,占用 PCB 面积大。

◦ 应用:早期逻辑芯片、存储器、中小规模集成电路。

2小外形封装(SOPSmall Outline Package

◦ 特点:封装体薄,引脚呈 “L” 型向外延伸,体积比 DIP 小,引脚间距缩小至 1.27mm 或更小,集成度提升。

◦ 衍生类型

▪ 薄型小外形封装(TSOPThin SOP:厚度更薄,适用于内存芯片(如 DRAM)。

▪ 收缩型小外形封装(SSOPShrink SOP:引脚间距更小(如 0.65mm),进一步缩小体积。

◦ 应用:消费电子、汽车电子中的中等集成度芯片。

3四面贴装封装(QFPQuad Flat Package

◦ 特点:四边均有引脚,呈 翼型向外展开,引脚数量可达数百个,集成度较高,适用于高性能芯片。

◦ 衍生类型

▪ 薄型 QFPTQFP:厚度减薄至 1.0mm 以下。

▪ 塑料 QFPPQFP:采用塑料封装,成本更低。

◦ 应用:早期微处理器、ASIC 芯片、数字信号处理器(DSP)。

4针栅阵列封装(PGAPin Grid Array

◦ 特点:引脚以阵列形式分布在封装底部,呈针状插入 PCB 插座,引脚数量多(如数百至数千),散热和电气性能较好。

◦ 应用:早期高性能处理器(如 Intel Pentium 系列)、大型计算机芯片。

真空压力除泡系统

二、先进封装技术(高集成度、三维互连、异构集成)

1倒装芯片封装(Flip-Chip

◦ 特点:芯片面朝下,通过凸点(Bump)直接焊接到基板上,互连距离短,信号传输速度快,热性能好,集成密度高。

◦ 关键工艺:底部填充(Underfill)用于缓解芯片与基板的热应力差异,提高可靠性。

◦ 应用:高端处理器(如 CPUGPU)、射频芯片、图像传感器。

2球栅阵列封装(BGABall Grid Array

◦ 特点:封装底部以焊球阵列代替引脚,焊点分布更均匀,可承载更多 I/O 接口,电路板布局密度高,信号完整性好。

◦ 衍生类型

▪ 倒装 BGAFC-BGA:结合倒装芯片技术,进一步缩短互连距离。

▪ 陶瓷 BGACBGA:散热性能优异,适用于高可靠性场景。

◦ 应用:智能手机处理器、网络芯片、FPGA

3晶圆级封装(WLPWafer Level Package

◦ 特点:在晶圆切割前完成封装,封装尺寸与芯片尺寸接近(Fan-in WLP)或超出(Fan-out WLP),实现 芯片即封装,成本低、体积小。

◦ 类型

▪ 扇入型 WLPFan-in WLP:封装尺寸芯片尺寸,适用于 I/O 较少的芯片(如传感器、射频芯片)。

▪ 扇出型 WLPFan-out WLP:通过重布线技术扩展 I/O,封装尺寸 > 芯片尺寸,适用于逻辑芯片、存储器。

◦ 应用:手机摄像头芯片、指纹传感器、蓝牙芯片。

4三维封装(3D Packaging

◦ 特点:通过垂直堆叠芯片,利用 TSV(硅通孔)、微凸点等技术实现层间互连,集成度极高,功耗和延迟降低。

◦ 类型

▪ 芯片堆叠(Chip Stacking:同类型芯片堆叠(如存储器堆叠)。

▪ 混合键合(Hybrid Bonding:结合铜 - 铜键合与介质键合,实现高密度互连。

◦ 应用:高带宽存储器(HBM)、AI 芯片、图像处理芯片。

5系统级封装(SiPSystem in Package

◦ 特点:在单一封装内集成多个芯片(如 CPUGPU、存储器、射频芯片等)和无源器件,实现系统级功能,减小整机体积。

◦ 技术亮点:异构集成(不同工艺芯片混合封装)、埋置技术(将芯片嵌入基板)。

◦ 应用:物联网模块、穿戴设备芯片、汽车电子控制单元(ECU)。

6Chiplet(芯粒)封装

◦ 特点:将复杂芯片拆分为多个功能模块(芯粒),通过先进封装技术(如 EMIBCoWoS)互连,降低设计成本,提升良率。

◦ 应用:高性能计算芯片(如 AMD EPYCIntel Xeon)、AI 加速器。

72.5D 封装

◦ 特点:通过中介层(Interposer)连接多个芯片,实现水平方向高密度互连,典型如 TSMC CoWoSChip on Wafer on Substrate)、Intel EMIBEmbedded Multi-die Interconnect Bridge)。

◦ 应用:高端 AI 芯片、数据中心 GPU(如 NVIDIA H100AMD MI300)。

晶圆级真空贴压膜系统

三、传统封装与先进封装的核心区别

维度

传统封装

先进封装

互连方式

引脚或引线键合(Wire Bonding

倒装凸点、TSV、铜 - 铜键合等

集成度

单一芯片或简单功能集成

多芯片异构集成、三维堆叠

性能

信号延迟长、功耗高

高速互连、低功耗、高散热效率

应用场景

消费电子低端产品、工业控制

高端处理器、AI5G、汽车电子等

先进封装通过三维结构、异构集成和高密度互连技术,突破了传统封装在性能和集成度上的限制,成为半导体行业应对 摩尔定律放缓的关键技术方向。


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