在AI芯片、高性能计算和移动终端对算力与能效的极致追求下，2.5D/3D IC堆叠已成为延续摩尔定律的关键路径。而TSV（硅通孔）技术，作为实现芯片垂直互连的核心工艺，其填覆质量直接决定了芯片堆叠的可靠性与良率。随着TSV深宽比不断攀升、晶圆表面形貌日益复杂，传统贴膜工艺正面临前所未有的挑战——微米级气泡、填覆率不佳等顽疾，已成为制约先进封装产能与品质的“隐形杀手”。

TSV填覆：先进封装绕不开的“硬骨头”

TSV工艺需要在晶圆上刻蚀出深达数十甚至上百微米的垂直通孔，并在孔内填充绝缘层、阻挡层和种子层。在干膜贴覆环节，传统滚轮式常压贴膜或预贴膜后真空压膜的方式，极易在TSV高深宽比孔洞的侧壁与底部裹入微小气泡。这些看似不起眼的气泡，会在后续曝光、蚀刻、电镀等工艺中引发致命缺陷，轻则导致孔洞填充不完整，重则造成整颗芯片报废。在3D IC堆叠中，哪怕一个TSV孔洞的填覆缺陷，都可能导致整个芯片堆栈的功能失效。随着TSV深宽比持续攀升，传统贴膜工艺在高深宽比结构下的均匀填覆能力捉襟见肘，良率瓶颈日益凸显。

屹立芯创“真空贴膜+软垫气囊压合”双核驱动

深耕半导体先进封装领域二十余年，屹立芯创精准聚焦先进封装制程中的气泡痛点，以热流与气压两大核心技术为依托，推出了全自动型晶圆级真空贴压膜系统（WVLA）。该系统采用颠覆性的“真空下贴膜+软垫气囊式压合”专利技术，从根源上解决了TSV填覆的良率瓶颈。

核心优势一：真空环境下的本质无泡贴膜

与传统先预贴膜再抽真空的方式不同，屹立芯创的贴压膜系统在高洁净真空环境下完成贴膜动作——干膜在腔体内与晶圆保持间距，待腔体抽至高真空后，方进行贴压膜。这一创新工艺从源头上杜绝了气泡的裹入，确保TSV孔洞内壁与底部的干膜填充致密无瑕。

核心优势二：软垫气囊式压合实现1:20高深宽比填覆

面对TSV等凹凸起伏剧烈的晶圆表面，传统刚性滚轮或硬质压板无法均匀施压。屹立芯创独创的弹性气囊结合震荡式压合技术，能够像一只柔软而有力的手掌，对晶圆表面（尤其是高深宽比结构）进行均匀、无损伤的压力施加。这一技术突破使系统轻松实现业界领先的1:20高深宽比填覆，完美适配当前及未来数年内TSV工艺的演进需求。

核心优势三：精密参数独立控制，适配多样化工艺窗口

系统对热、真空、压力三大关键工艺参数实现独立精准调控，上下腔体独立加热，可灵活适配PI、ABF、Dry Film等多种干膜材料。内部集成自动切割、卷对卷（R2R）供收膜、撕膜系统，大幅提升效率、减少人工干预。气囊与压膜平台采用模块化快拆设计，显著提升维护效率与生产连续性。智能化机台设计可无缝对接工厂MES系统，实现生产数据可追溯与工艺优化。

核心优势四：广泛兼容性与成熟量产能力

系统成熟支持8英寸及12英寸晶圆尺寸，可适配多种先进封装材料和制程。其WVLA全自动型、WVLS半自动型和WVLM手动型三大产品矩阵，可满足不同产能与工艺场景的需求。

从实验室到量产线：头部客户的共同选择

技术实力最终要用量产数据说话，屹立芯创晶圆级真空贴压膜系统已在国内多家封测头部企业实现规模化稳定运行，广泛应用于TSV填覆、沟槽填充、NCF、Fan-Out及Mini/Micro LED等核心制程。2026年2月，公司完成A+轮融资，持续加码技术研发与产能扩张。

深耕核心赛道，以“除泡”技术定义封装可靠性

屹立芯创总部坐落于南京国家级江北新区，是国家高新技术企业与省级专精特新企业。自成立以来，公司始终聚焦半导体封装制程中的“气泡”这一核心可靠性难题。依托热流与气压两大底层技术平台，公司构建了涵盖多领域除泡系统、晶圆级真空贴压膜系统及应力消除系统的完整产品矩阵。目前，公司已累计申报百余项专利，沉淀千余项工艺数据库，在除泡、贴压膜、应力管理等关键环节实现多项核心技术突破，持续为先进封装提供自主可控的国产化装备支撑。

公司实施“1+3+N”全球化战略，公司协同20年+的技术经验，以南京总部为中枢，整合中国台湾、日本东京三大技术支撑平台，在南京、昆山、深圳、新竹、东京、马来西亚、泰国等地设立应用服务中心。产品已通过全球多家头部半导体及汽车电子企业的严苛认证。

“为中国芯造屹立器”

在先进封装技术飞速发展、国产替代浪潮澎湃的今天，屹立芯创正以其创新的真空贴压膜技术、成熟可靠的产品体系和深耕行业的深厚积累，成为推动中国半导体封装产业向更高水平迈进的重要力量。选择屹立芯创，即是选择更高良率、更高效率、更可靠的国产化先进封装解决方案。